R60/R65 N-ChパワーMOSFET

ROHM SemiconductorのR60/R65 NチャンネルパワーMOSFETは、TO-220FM-3/SOT-223-3パッケージで600Vまたは650Vのドレイン-ソース電圧のシングルチャンネル出力を提供します。R60/R65 MOSFETは、-55°C〜150°C/155°Cの動作温度範囲で利用可能で、電力損失オプションは7.8W〜86Wが提供されています。R60/R65 N-ChパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適です。

結果: 56
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 24A N-CH MOSFET
データシート
1,992在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
データシート
4,919在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
データシート
1,932在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 7A N-CH MOSFET
データシート
4,998在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
データシート
1,970在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
データシート
6,812在庫
最低： 1
複数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms - 30 V, 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
データシート
7,443在庫
最低： 1
複数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms - 20 V, 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
データシート
7,142在庫
最低： 1
複数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
データシート
3,481在庫
4,000予想2026/12/16
最低： 1
複数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
データシート
7,655在庫
最低： 1
複数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
データシート
2,415在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
データシート
4,936在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
データシート
1,869在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 66A N-CH MOSFET
データシート
984在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 66A N-CH MOSFET
データシート
581在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
データシート
1,951在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
データシート
1,988在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
データシート
996在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
データシート
990在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
データシート
778在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 183A N-CH MOSFET
データシート
594在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
データシート
487在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
データシート
600在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
データシート
3,457在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
データシート
965在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube