RQ3G120BKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RQ3G120BKFRATCB
RQ3G120BKFRATCB

メーカ：

詳細：
MOSFET HSMT8 N CHAN 40V

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合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥155.2 ¥155
¥97 ¥970
¥78.9 ¥7,890
完全リール（3000の倍数で注文）
¥67.2 ¥201,600
¥66.4 ¥398,400
¥65.8 ¥1,579,200

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
40 V
12 A
17.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 7 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 16 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 7 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET

ローム株式会社の RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFETは、ドレイン・ソース電圧40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±12A (ID) 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)] は、(最大) 17.4mΩ (VGS = 10V、ID = 12A) で、3.3mm x 3.3mm HSMT8AGパッケージに収められています。ローム株式会社の RQ3G120BKFRA MOSFETは、ADAS、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

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