MCGWF085P10-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCGWF085P10-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCGWF085P10-TP
Price: 38 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

833-MCGWF085P10-TP

メーカ番号：

MCGWF085P10-TP

メーカ：

Micro Commercial Components (MCC)

詳細：

MOSFET P-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF)

ライフサイクル:

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データシート:

MCGWF085P10-TP データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Micro Commercial Components (MCC)
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN3333-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	16 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	102 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	44.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	56.8 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Micro Commercial Components (MCC)
構成:	Single
下降時間:	31 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	42 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	91 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns

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データシート

MCGWF085P10-TP データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MCGWF085P10 Power MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCGWF085P10 Power MOSFET is a -100V (V_DS) P-channel MOSFET engineered to deliver high performance in compact power systems. This MOSFET is built with Trench MV MOSFET technology and features a high-density cell design for ultra-low R_DS(on), reducing conduction losses for efficient operation. The MCGWF085P10 MOSFET offers good thermal performance and a total gate charge of 44.4nC, making it well-suited for fast switching in high-frequency applications. This compact power MOSFET features a total power dissipation of 56.8W and is housed in a DFN3333-8 (SWF) surface-mount package. The MCGWF085P10 MOSFET is suitable for applications that require efficient switching and power handling in compact designs, such as DC-DC converters, load switches, and battery-powered devices.

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.