NVMFWS0D4N04XMシングルNチャネルパワーMOSFET

オンセミ (onsemi) NVMFWS0D4N04XMシングルNチャネルパワーMOSFETは、コンパクトな5mm × 6mmのSO8-FLパッケージで提供されています。これらのMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧40V、ゲート・ソース間電圧±20V、電力損失197W(TC=25°C)を備えています。NVMFWS0D4N04XM パワーMOSFETは、低抵抗(RDS(on))によって導通損失を最小化し、低静電容量によってドライバ損失を最小化します。これらはAEC-Q101認定MOSFETおよびPPAP対応です。NVMFWS0D4N04XM パワーMOSFETは、Pbフリー、ハロゲン/BFRフリーで、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションは、モータ駆動、バッテリ保護、逆バッテリ保護、同期整流、スイッチング電源、電源スイッチなどです。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE 3,424在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 0.42 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 132 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
1,500予想2026/07/20
最低: 1
複数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 mOhms 20 V 3.5 V 132 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape