ISO2H823V25XUMA1

Infineon Technologies
726-ISO2H823V25XUMA1
ISO2H823V25XUMA1

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ ISOFACE

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
QFN-70
8 Driver
8 Output
1.2 A
2.75 V
3.6 V
30 us
30 us
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
トレードネーム: ISOFACE
別の部品番号: ISO2H823V2.5 SP001225470
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854239099
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
ドイツ
組立原産国:
中国
拡散国:
ドイツ
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

ISO2H823V ISOFACE™ガルバニック高圧側スイッチ

Infineon ISO2H823V ISOFACE™ガルバニック絶縁高圧側スイッチは、工業制御アプリケーションの診断における新しい基準を確立しています。ISO2H823Vには、統合2.5kVガルバニック絶縁が備わっており、これによって強化絶縁を目的としたIEC 61131-2要件に適合します。8チャネルにはそれぞれ、開負荷(アクティブモード - ドライバがON、非アクティブモード - ドライバがOFF)、Vbbへの短絡、過電流(= GNDへの短絡)、温度過昇をはじめとして、5フォール度診断監視機能が装備されています 。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A~最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護(DESAT)、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

在庫: 1,010

在庫:
1,010 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
26 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,742.4 ¥1,742
¥1,395.2 ¥13,952
¥1,297.2 ¥32,430
¥1,189.3 ¥118,930
¥1,131.1 ¥282,775
¥1,109.5 ¥554,750
¥1,083 ¥1,083,000
完全リール(2500の倍数で注文)
¥1,054.7 ¥2,636,750