NTH4L070N120M3S

onsemi
863-NTH4L070N120M3S
NTH4L070N120M3S

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

データシート:
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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
37 A
91 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
252 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 9 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 12 ns
シリーズ: NTH4L070N120M3S
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 20 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFET

onsemi M3S EliteSiC MOSFETは、ハードスイッチトポロジを採用する高周波スイッチングアプリケーションに最適なソリューションです。onsemi M3S MOSFETは、性能と効率を最適化するように設計されています。このデバイスは前世代の同等品（1200V 20mΩ M1）と比較して、全スイッチング損失 (Etot) が約40%も削減されています。M3S EliteSiC MOSFETは、ソーラー電源システム、オンボードチャージャ、電気自動車 (EV) 用充電ステーションなど、さまざまなアプリケーションに最適です。

ヒートポンプ

ヒートポンプは、安全で持続可能な暖房へのグローバルシフトを実現する礎として、低排出電気を利用して信頼性の高い暖かさを提供します。主な機能は暖房ですが、革新的な逆サイクルモデルには冷却機能も備わっています。さらに、廃熱を効率的に回収してその温度を実用レベルまで上昇させることもできるヒートポンプは、省エネという意味でも非常に大きな可能性を秘めています。企業が低炭素の未来を目指すなか、より効率的なパワー半導体に対する需要も高まりを見せています。このゴールに向けて、コスト、フットプリント、効率のバランスをとることは必須です。オンセミ (onsemi)インテリジェントパワーモジュール (IPM) は、ヒートポンプ市場において注目にすべきソリューションとして、コンパクトな設計、高電力密度、高度な制御機能を備えています。

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