NTPF110N65S3HF

onsemi
863-NTPF110N65S3HF
NTPF110N65S3HF

メーカ:

詳細:
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, TO-220F

ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥886.4 ¥886
¥561.6 ¥5,616
¥536 ¥53,600

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
240 W
Enhancement
SuperFET III
Tube
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 25 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 18 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 25 ns
シリーズ: SuperFET3
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 85 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTPF110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® IIIパワーMOSFET

onsemi NTPF110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® IIIパワーMOSFETは、際立った低オン抵抗と低ゲート電荷性能を目的に充電バランス・テクノロジが活用されている、高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETです。充電バランス技術によって導通損失が最小化され、優れたスイッチング性能が実現し、極端的なdV/dt率に耐える機能を有効にできます。NTPF110N65S3HF SUPERFET III MOSFETは、ミニチュア化と高効率を必要とするパワー・システムに最適です。また、NTPF110N65S3HFは、逆回復ボディダイオード性能向けに最適化されており、機能が搭載されており、必要な追加部品の削減とシステム信頼性の向上がもたらされています。

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFETは、高電圧(TJ= 150ºCで700V)スーパージャンクション(SJ)MOSFETで、充電バランス技術を用いています。この技術によって、非常に低いオン抵抗(標準59mΩまたは62mΩ RDS(on))およびより低いゲート充電性能(標準78nC Qg)が実現しています。SuperFET III MOSFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、ドレイン-ソース電圧の極端な上昇率に耐えるように設計されています。dv/dt Fairchild SuperFET IIIは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに最適です。