XHP™ 2 & 3 IGBTモジュール

Infineon Technologies XHP™2および3IGBT モジュールは、1.7kVから6.5kVまでの高電力アプリケーション向けに設計されています。Infineonモジュールは、トラクション、CAV、中電圧ドライブのような要求の厳しい用途に最適です。このデバイスには、スケーラブルなデザイン、一流の信頼性、および最高レベルの電力密度が備わっています。

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 製品
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
25 Cでのコレクターの直流
ゲート - エミッタ リーク電流
Pd - 電力損失
パッケージ/ケース
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
Infineon Technologies IGBT モジュール XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
データシート
5在庫
最低： 1
複数： 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
データシート
5在庫
最低： 1
複数： 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1200 A dual IGBT module
データシート
24在庫
最低： 1
複数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1800 A dual IGBT module
データシート
19在庫
最低： 1
複数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1800 A dual IGBT module
データシート
11在庫
最低： 1
複数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1200 A dual IGBT module
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 4
複数： 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray