TGS2355

Qorvo
772-TGS2355
TGS2355

メーカ：

詳細：
RF スイッチ IC .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

データシート:
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メーカ 部品番号:
TGS2355-SM
梱包:
Tray
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1

製品属性 属性値 属性の選択
Qorvo
製品カテゴリー: RF スイッチ IC
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.3 dB
40 dB
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
Die
Si
TGS2355
Gel Pack
ブランド: Qorvo
高制御電圧: - 48 V
スイッチ数: Single
動作供給電流: 1 mA
Pd - 電力損失: 36.8 W
製品タイプ: RF Switch ICs
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Wireless & RF Integrated Circuits
別の部品番号: 1097157
単位重量: 1 g
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5-0810-13

データシート

PCN

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JPHTS:
854239099
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

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