NTBG014N120M3P

onsemi
863-NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L

データシート:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥4,422.4 ¥4,422
¥3,590.4 ¥35,904
¥3,508.8 ¥1,754,400
完全リール（800の倍数で注文）
¥3,401.6 ¥2,721,280

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
104 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.63 V
337 nC
- 55 C
+ 175 C
454 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 29 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 40 ns
シリーズ: NTBG014N120M3P
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 74 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3P EliteSiC MOSFET

onsemi M3P EliteSiC MOSFET は、最大定格電圧1,200Vの高電圧アプリケーション向けソリューションです。onsemi M3P MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LDのパッケージで提供されます。/MOSFETはさまざまな設計要件に対応する汎用性を備えています。+ 22V/-10Vの最大ゲート－ソース電圧が備わっているEliteSiC MOSFETは、Coss、Ciss、Crssをはじめとする寄生容量の改善を促進します。

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