AF54RHC132ENT-R

Apogee Semiconductor
444-AF54RHC132ENT-R
AF54RHC132ENT-R

メーカ:

詳細:
論理ゲート GEO Quad Schmitt 2-input NAND, Evaluation-Grade, NiPdAu TSSOP14, packed in tape and reel

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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥16,801.6 ¥16,802
¥15,209.6 ¥152,096
¥14,801.6 ¥370,040
¥14,792 ¥739,600
¥14,100.8 ¥1,410,080
完全リール(250の倍数で注文)
¥13,659.2 ¥3,414,800

製品属性 属性値 属性の選択
Apogee Semiconductor
製品カテゴリー: 論理ゲート
配送制限
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RoHS:  
NAND
4 Gate
AF54RHC
8 Input
TSSOP-14
4 Output
24 mA
- 24 mA
38 ns
1.65 V
5.5 V
- 55 C
+ 125 C
SMD/SMT
Reel
Cut Tape
ブランド: Apogee Semiconductor
論理タイプ: CMOS
動作温度範囲: - 55 C to + 125 C
出力電流: 100 mA
出力電圧: 5.5 V
製品: NAND Gate
製品タイプ: Logic Gates
シリーズ: AF54RHC132
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: Logic ICs
トレードネーム: LEO
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選択した属性: 0

USHTS:
8542390090
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
9A515.e.1

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).