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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,863.6
-
1,595在庫
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R022M2HXK
新製品
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
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1,595在庫
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最低： 1
複数： 1
最大： 50
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
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1 Channel
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1.2 kV
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80 A
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22 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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71 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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329 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,423.2
-
690在庫
-
240予想2026/10/22
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R012M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
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690在庫
240予想2026/10/22
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|
最低： 1
複数： 1
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Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
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129 A
|
12 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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124 nC
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- 55 C
|
+ 175 C
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,837
-
471在庫
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R026M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
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|
471在庫
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最低： 1
複数： 1
最大： 20
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Through Hole
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TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
69 A
|
25 mOhms
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- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
124 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
289 W
|
Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,082.9
-
1,026在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R034M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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1,026在庫
|
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最低： 1
複数： 1
最大： 70
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Through Hole
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TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
55 A
|
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- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
45 nC
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- 55 C
|
+ 175 C
|
244 W
|
Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,687.6
-
744在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R053M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
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|
744在庫
|
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|
¥1,687.6
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¥994.9
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¥842.1
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¥840.5
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¥827.2
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最低： 1
複数： 1
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Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
38 A
|
53 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
182 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3,675.8
-
77在庫
-
480予想2026/07/17
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R017M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
|
|
77在庫
480予想2026/07/17
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 20
|
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|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
97 A
|
17 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
89 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
382 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,983.2
-
1,992取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R040M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
|
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1,992取寄中
取寄中:
312 予想2026/10/29
480 予想2027/04/22
480 予想2027/05/13
240 予想2027/05/20
240 予想2027/06/03
240 予想2027/06/10
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|
¥1,983.2
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|
¥1,184.3
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¥1,021.5
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最低： 1
複数： 1
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Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
48 A
|
40 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
218 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,498.2
-
480予想2026/08/13
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R078M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
|
|
480予想2026/08/13
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|
¥1,498.2
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¥875.3
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|
¥737.5
|
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|
¥730.8
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最低： 1
複数： 1
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Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
28 A
|
78 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
21 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
143 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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|
日本