iS20M028S1C-7SR

iDEAL Semiconductor
25-IS20M028S1C-7SR
iS20M028S1C-7SR

メーカ：

詳細：
MOSFET

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C-7SRの詳細を読む

在庫: 119

在庫：
119 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥596.6 ¥597
¥389.6 ¥3,896
完全リール（100の倍数で注文）
¥303.2 ¥30,320
¥254.3 ¥127,150
¥221.7 ¥221,700

製品属性 属性値 属性の選択
iDEAL Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
200 V
45 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
SuperQ
Reel
Cut Tape
ブランド: iDEAL Semiconductor
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 12.7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 14 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 2 ns
工場パックの数量: 100
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 28 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9.3 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET is designed for SMPS and high-efficiency motor drives. The 200V MOSFET features ultra-low conduction and switching losses in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm. The iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ 200V N-Ch Power MOSFET supplies superior RDS(on) and QSW, while minimizing heat dissipation at both full and partial loads.

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。