RF4G100BGTCR

ROHM Semiconductor
755-RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR

メーカ：

詳細：
MOSFET DFN2020 N-CH 40V 10A

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥219.2 ¥219
¥138.2 ¥1,382
¥91.5 ¥9,150
¥71.5 ¥35,750
¥65 ¥65,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥56.8 ¥170,400
¥52.6 ¥315,600
¥49.8 ¥448,200

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-8
N-Channel
1 Channel
40 V
10 A
14.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
10.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 4.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 5.2 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6.5 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 21 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.5 ns
別の部品番号: RF4G100BG
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RF4G100BG NチャンネルパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG NチャンネルパワーMOSFETは、14.2mΩという低オン抵抗を特徴とする40V、10A MOSFETで、スイッチングアプリケーションに最適です。RF4G100BGには、27ns（標準）逆回復時間および18nC（標準）逆回復電荷があります。デバイスの消費電力は2.0Wで、-55℃～+150の広い動作ジャンクションおよび保存温度範囲が特徴です。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

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