NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiCハーフブリッジモジュール

Onsemi NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiCハーフブリッジモジュールは、2つの3mΩ または4mΩ の1200V SIC MOSFETスイッチとサーミスタを搭載する2パックモジュールで、Zirconia Doped Alumina(HPS)直接結合銅(DBC)またはシリコン窒化物(Si3N4)  DBCが搭載されています。F2パッケージのSiC MOSFETスイッチには、M3S技術が活用されており、15V~18Vゲートの駆動範囲が特徴です。アプリケーションには、DC-AC、DC-DC、AC-DC変換があります。

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 シリーズ パッケージ化
onsemi MOSFETモジュール 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 25在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFETモジュール 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 58在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFETモジュール 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 26在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFETモジュール 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 10在庫
最低: 1
複数: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray