CSD17581Q3A NexFET™パワーMOSFET

Texas Instruments CSD17581Q3A NexFET™パワーMOSFETは、Nチャンネル30V、3.2mΩパワーMOSFETです。 このデバイスは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。 このMOSFETは、低Qg、Qgd、RDS(オン)と低熱抵抗が備わっています これらの機能によって、このデバイスは、ポイントオブロード同期バックコンバータに理想的であり、ネットワーキング、通信、コンピューティングシステムでのアプリケーションを対象としています。 また、このデバイスは、モータ制御アプリケーション用にも良く作動し、制御FETアプリケーション向けに最適化されています。
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結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化

Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT 306在庫
7,500予想2026/03/12
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFET 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A 358在庫
250予想2026/02/20
最低: 1
複数: 1
リール: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel