RF4L070BGTCR

ROHM Semiconductor
755-RF4L070BGTCR
RF4L070BGTCR

メーカ:

詳細:
MOSFET DFN2020 N-CH 60V 7A

ECADモデル:
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在庫: 683

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683
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予想2026/06/16
6,000
予想2026/06/18
工場リードタイム:
16
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥219.2 ¥219
¥138.2 ¥1,382
¥91.5 ¥9,150
¥71.5 ¥35,750
¥65.1 ¥65,100
完全リール(3000の倍数で注文)
¥55.8 ¥167,400
¥52.6 ¥315,600
¥49.8 ¥448,200
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-8
N-Channel
1 Channel
60 V
7 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
7.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 4.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 2.5 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.7 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 21 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.7 ns
別の部品番号: RF4L070BG
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RF4L070BG NチャンネルパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RF4L070BG NチャンネルパワーMOSFETは、27.0mΩ低オン状態抵抗を特徴とする60.0V、7.0A MOSFETで、スイッチングアプリケーションに最適です。RF4L070BGには、25.0ns(標準)逆回復時間および22.0nC(標準)逆回復電荷があります。デバイスの消費電力は2.0Wで、-55℃~+150の広い動作ジャンクションおよび保存温度範囲が特徴です。

電気自動車(EV)ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車(EV)ソリューションは、最先端の電気自動車(EV)における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。