GEN3 1,200V SiC MOSFETディスクリートデバイス

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 359在庫
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SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 50在庫
30予想2026/09/04
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SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 195在庫
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L 非在庫リードタイム 12 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 17m SiC MOSFET TO-247-4L 非在庫リードタイム 12 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 34m SiC MOSFET TO-247-4L 非在庫リードタイム 12 週間
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SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 在庫なし
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 16m SiC MOSFET TSPak 非在庫リードタイム 16 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 20m SiC MOSFET TSPak 非在庫リードタイム 16 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40m SiC MOSFET TSPak 非在庫リードタイム 16 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40mO SiC MOSFET TO-247-3L 非在庫リードタイム 20 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 72mO SiC MOSFET TO-247-4L 非在庫リードタイム 20 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TO-263-7L 非在庫リードタイム 16 週間
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TSPak 非在庫リードタイム 16 週間
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