NVBG070N120M3S

onsemi
863-NVBG070N120M3S
NVBG070N120M3S

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SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

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完全リール（800の倍数で注文）
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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
25 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
172 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 8.8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 12 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 12 ns
シリーズ: NVBG070N120M3S
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFET

onsemi M3S EliteSiC MOSFETは、ハードスイッチトポロジを採用する高周波スイッチングアプリケーションに最適なソリューションです。onsemi M3S MOSFETは、性能と効率を最適化するように設計されています。このデバイスは前世代の同等品（1200V 20mΩ M1）と比較して、全スイッチング損失 (Etot) が約40%も削減されています。M3S EliteSiC MOSFETは、ソーラー電源システム、オンボードチャージャ、電気自動車 (EV) 用充電ステーションなど、さまざまなアプリケーションに最適です。

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