IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET

IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFETは、最高1,200Vまでの阻止電圧が特徴で、18mΩまたは36mΩ低R_{DS (on)} が備わっています。これらのIXYS SiCパワーMOSFETには、79nC (IXSJ43N120R1K)または155nC (IXS80N120R1K)の低ゲート電荷および2,453pF (IXSJ43N120R1K)または4,556pF (IXSJ80N120R1K)の低入力容量が備わっています。IXSJxN120R1Kは、15V ～ 18Vの柔軟性に富んだゲート電圧範囲および0Vの推奨ターンオフゲート電圧を実現しています。アプリケーションには、電気自動車(EV)充電インフラ、ソーラーインバータ、スイッチモード電源、無停電電源装置、モータードライブ、その他があります。