GAN039 CCPAK1212パッケージ・パワーGaN FET

ネクスペリア (Nexperia) GAN039 CCPAK1212パッケージ パワーGaN FETは、低インダクタンス、低スイッチング損失、および高信頼性を実現する銅クリップ パッケージ技術を採用しています。熱的および電気的性能を最適化するためにワイヤボンドフリー構造を採用したこれらのデバイスは、カスコード構成を備えているため複雑なドライバや制御回路が不要になります。 表面実装型のGAN039 FETは、放熱性を向上させるために上面(CCPAK1212i)または従来の下面(CCPAK1212)冷却に対応しており、設計の柔軟性をさらに高めます。 CCPAK1212およびCCPAK1212i パッケージスタイルは、コンパクトなフットプリントを特徴としています。柔軟性に富んだガルウィング・リードによって、極端な温度環境を対象とした堅牢なボードレベルの信頼性が実現しています。代表的なアプリケーションとしては、サーボモータドライブ、PV/UPS用インバータ、ブリッジレス トームポール型PFC、ソフトスイッチングコンバータなどが挙げられます。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 技術
Nexperia GaN FET GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 509在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 701在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement GaN