信号インダクタ

TDK信号インダクタは、最先端の積層処理技術およびワイヤ巻線技術を使用して製造されています。そのワイヤ巻線技術には、高透磁率のフェライト粒子を用いた非常に効果的な閉鎖磁気回路が使用されており、Rdc値を低くしてエネルギー消費を削減します。TDK信号インダクタは、モバイル端末からさまざまなタイプの自動車機器およびシステムを対象としたコンシューマエレクトロニクスまで、いろいろなアプリケーションでの使用を目的に設計されています。

インダクタ、チョーク、コイルのタイプ

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結果: 649
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS インダクタンス 公差 最大 DC 電流 末端様式 最高動作温度 認証
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27H, 350m 9,620在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

270 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 270nH 350mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,352在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

270 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27H, 350m 3,636在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

270 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.33H, 400m 3,532在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

330 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 330nH 400mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,265在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

330 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD .33 UH 10% 22,003在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 330nH 400mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200 7,900在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.39H, 450m 753在庫
24,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 4,000

390 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 390nH 450mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,303在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

390 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 390nH 450mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 380在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

390 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.47H, 500m 2,797在庫
14,000予想2026/10/12
最低: 1
複数: 1
: 2,000

470 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 470nH 500mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,797在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

470 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.47H, 500m 548在庫
2,000予想2026/07/20
最低: 1
複数: 1
: 2,000

470 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 2012 0.56uH 5% 5,535在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

560 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 560nH 550mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 914在庫
2,000予想2026/07/14
最低: 1
複数: 1
: 2,000

560 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD .56 UH 10% 16,546在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

560 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.56H, 550m 93在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

560 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD .68 UH 5% 1,374在庫
28,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 2,000

680 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD .68 UH 10% 4,829在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

680 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 680nH 600mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,254在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

680 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.68H, 600m 1,476在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

680 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 2012 0.82uH 5% 1,969在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

820 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,198在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

820 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD .82 UH 10% 25,353在庫
18,000予想2026/08/24
最低: 1
複数: 1
: 2,000

820 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,430在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

820 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200