RxP120BLFRAパワーMOSFET

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor)のRxP120BLFRAパワーMOSFETは、自動車向けのAEC-Q101認定を取得した製品です。本製品は、100Vのドレイン・ソース間破壊電圧、62mΩ の静止時ドレイン・ソースオン状態抵抗、 ±12Aの連続ドレイン電流を備えています。ROHMのRxP120BLFRAパワーMOSFETは、ADASやインフォテインメント、照明、ボディ制御などの自動車用アプリケーションに適しています。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 100V 2,100在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN7 N CHAN 100V
3,000予想2026/03/05
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape