NVHL075N065SC1

onsemi
863-NVHL075N065SC1
NVHL075N065SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

データシート:
ECADモデル:
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onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 5 V, + 18 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
74 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
下降時間: 8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 9 S
パッケージ化: Tube
製品: Mosfets
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 26 ns
シリーズ: NVHL075N065SC1
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 22 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

NVHL075N065SC1炭化ケイ素（SIC）MOSFET

Onsemi NVHL075N065SC1炭化ケイ素（SIC）MOSFETは、比類のない特性が備わった高性能デバイスです。Onsemi NVHL075N065SC1は、18Vのゲート-ソース電圧（VGS）で57mΩ、また15Vで75mΩの標準RDS（on）を備えています。このデバイスは、超低ゲート電荷（QG（tot） = 61nC）、および低出力容量（Coss = 107pF）が特徴で、高速スイッチングと電力損失の低減が保証されます。

在庫: 366

在庫：
366 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
30 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,436.7 ¥2,437
¥1,481.6 ¥14,816
¥1,368.7 ¥164,244
¥1,320.5 ¥673,455

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