SIRA99DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

データシート:
ECADモデル:
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Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
195 A
1.7 mOhms
- 20 V, 16 V
1 V
172.5 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 57 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 114 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 183 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 64 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 69 ns
単位重量: 506.600 mg
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データシート

PCN

Technical Resources

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiRA99DP 30V PチャンネルMOSFET

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V PチャンネルMOSFETは、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFETです。SiRA99DP MOSFETは、電圧降下を最小限に抑え導通損失を低減する低ON抵抗に対応します。このSiRA99DP MOSFETは、-55ºC～150ºCの温度範囲で動作します。パワーMOSFETは、単構成PowerPAK® SO-8パッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、負荷スイッチ、アダプタと充電器スイッチ、バッテリ保護、モータ駆動制御があります。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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取寄中:
9,455
予想2026/12/17
18,000
予想2027/04/15
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49
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最小: 1   倍数: 1   最大： 6000
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥654.4 ¥654
¥425.2 ¥4,252
¥299 ¥29,900
¥250.8 ¥125,400
¥232.5 ¥232,500
完全リール（3000の倍数で注文）
¥214.3 ¥642,900
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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