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SIRA99DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA99DP-T1-GE3
Price: 627 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIRA99DP-T1-GE3

メーカ番号：

SIRA99DP-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

データシート:

SIRA99DP-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥627.6	¥628
	¥405.9	¥4,059
	¥285.3	¥28,530
	¥238	¥119,000
	¥223.3	¥223,300
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥210.3	¥630,900

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-SO-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	195 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 16 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	172.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	104 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	PowerPAK
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
下降時間:	57 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	114 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	183 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	64 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	69 ns
単位重量:	506.600 mg

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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiRA99DP 30V PチャンネルMOSFET

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V PチャンネルMOSFETは、TrenchFET^® Gen IVパワーMOSFETです。SiRA99DP MOSFETは、電圧降下を最小限に抑え導通損失を低減する低ON抵抗に対応します。このSiRA99DP MOSFETは、-55ºC～150ºCの温度範囲で動作します。パワーMOSFETは、単構成PowerPAK^® SO-8パッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、負荷スイッチ、アダプタと充電器スイッチ、バッテリ保護、モータ駆動制御があります。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.