SIRA99DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

ECADモデル:
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在庫: 2,824

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2,824
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取寄中:
6,000
工場リードタイム:
25
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥550.4 ¥550
¥360 ¥3,600
¥251.2 ¥25,120
¥217.6 ¥108,800
¥208 ¥208,000
完全リール(3000の倍数で注文)
¥176 ¥528,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
195 A
1.7 mOhms
- 20 V, 16 V
1 V
172.5 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 57 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 114 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 183 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 64 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 69 ns
単位重量: 506.600 mg
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SiRA99DP 30V PチャンネルMOSFET

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