LMG2652RFBR

Texas Instruments
595-LMG2652RFBR
LMG2652RFBR

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ

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最小: 1   倍数: 1   最大： 50
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,933.4 ¥1,933
¥1,508.2 ¥15,082
¥1,403.5 ¥35,088
完全リール（2000の倍数で注文）
¥1,403.5 ¥2,807,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
GaN FETs
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-19
1 Driver
1 Output
10 V
26 V
Non-Inverting
30 ns
23 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
開発キット: LMG2652EVM-101
入力電圧－最大: 26 V
入力電圧－最小: 10 V
最長電源切断遅延時間: 55 ns
最長電源投入遅延時間: 45 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 6.1 A
製品タイプ: Gate Drivers
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 140 mOhms
シャットダウン: No Shutdown
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
フィリピン
拡散国:
アメリカ
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジ

Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジは、設計の簡素化、コンポーネント数の低減、基板面積の低減を実現しています。この簡素化は、ハーフブリッジパワーFET、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、ハイサイドゲートドライブレベルシフタを6mm x 8mmのQFNパッケージに統合することで行われます。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗器方式よりも電力損失を低減できます。ローサイドのサーマルパッドを冷却用PCB電源グランドに接続することができます。

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