RH7L04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L04CBJFRATCB
Price: 315 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-RH7L04CBJFRATCB

メーカ番号：

RH7L04CBJFRATCB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET DFN8 P CHAN 60V

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	36 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	41 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 5 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	35 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	62 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	32 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	18 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	125 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns

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RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET

ローム株式会社の RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFETは、ドレイン－ソース電圧-60V（V_DSS)、および連続ドレイン電流±36A (I_D) 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [R_DS(ON)] は、(最大) 41mΩ (V_GS = -10V、I_D = -20A) で、3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) パッケージに収められています。ローム株式会社の RH7L04CBJFRA MOSFETは、先進運転支援システム (ADAS) 、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。