GNP2x 650V耐圧 エンハンスメント型 GaN HEMT

ROHM Semiconductor GNP2x 650V耐圧 エンハンスメント型 GaN HEMTは、高性能な電力変換アプリケーション用です。これらのHEMT (高電子移動度トランジスタ) は、降伏電圧が高く、ゲート電荷量の値が小さいことが特長です。GNP2x GaN HEMTは、高効率、高電力密度、高速スイッチング機能を備えています。これらのGaN HEMTは、8.5Vゲート-ソース間過渡電圧が特長で、-55°C～150°Cの温度範囲内で動作します。主なアプリケーションは、高スイッチング周波数で動作するコンバータ、および高密度コンバータなどです。