DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 220 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

637-DI105N04PQ-AQ

メーカ番号：

DI105N04PQ-AQ

メーカ：

Diotec Semiconductor

詳細：

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

データシート:

DI105N04PQ-AQ データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥157	¥1,570
	¥105.8	¥10,580
	¥93.7	¥46,850
	¥78.6	¥78,600
	¥70.4	¥176,000
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥70.3	¥351,500
	¥63.9	¥639,000
	¥63.3	¥1,582,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diotec Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	105 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.4 V
Qg - ゲート電荷:	23 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	83 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Diotec Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	9.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	116 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8.3 ns
シリーズ:	DI100N
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	28 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
別の部品番号:	N-CHANNEL

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データシート

DI105N04PQ-AQ データシート (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.