RS6N120BHTB1

ROHM Semiconductor
755-RS6N120BHTB1
RS6N120BHTB1

メーカ：

詳細：
MOSFET Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

データシート:
ECADモデル:
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合計 額
¥584 ¥584
¥380.8 ¥3,808
¥297.6 ¥29,760
¥249.6 ¥124,800
¥217.6 ¥217,600
完全リール（2500の倍数で注文）
¥217.6 ¥544,000

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOP-8
N-Channel
1 Channel
80 V
135 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
53 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 35 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 42 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 47 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 73 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 32 ns
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RS6N120BH NチャンネルパワーMOSFET

ROHM SemiconductorRS6N120BHN チャネルパワーMOSFETは、高効率動作に貢献する 、Cuクリップ構造を特徴としたコンパクトで低損失のMOSFETです。このシステムによって、パッケージ抵抗を低減しながら、 電流容量を増加します。この機能により、RS6N120BHは24V/36V/48Vの電源で動作するドライブアプリケーションに最適となっています。

RS6/RH6Cu-ClipパッケージN チャネルパワーMOSFET

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor)RS6/RH6 Cu-ClipパッケージNチャンネルパワーMOSFETは、パッケージ抵抗を低減し、大電流への処理能力を実現します。HSOP-8およびHSMT-8パッケージのコンポーネントは、同時低オン抵抗とゲート電荷容量を実現しており、エネルギー損失を最小限に抑えます。-55°C ~ +150°Cの温度範囲内で動作するこれらのMOSFETは、24V/36V/48V電源で動作する駆動アプリケーションに最適です。

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