DMN2005K-7-N

Name: Diodes Incorporated DMN2005K-7-N
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2005K-7-N
Price: 186 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

621-DMN2005K-7-N

メーカ番号：

DMN2005K-7-N

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

ライフサイクル:

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データシート:

DMN2005K-7-N データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	300 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.7 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	900 mV
Qg - ゲート電荷:	500 pC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	350 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Single
下降時間:	10.54 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	40 mS
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7.28 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	13.74 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	4.06 ns

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データシート

DMN2005K-7-N データシート (PDF)

コンプライアンスコード

USHTS:: 8541210095

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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Diodes Inc. DMN2005K Nチャネル、エンハンスメントモード、電界効果トランジスタは、コンパクトなロジックレベルMOSFETで、効率的な低電圧スイッチング用途やパワーマネジメント用途向けです。省スペース型SOT-23パッケージ、低オン抵抗、超低ゲート閾値電圧0.9V (Max.)、高速スイッチング性能が特長です。これらの特長を持つDMN2005Kは、バッテリ駆動ポータブル電子システムに最適です。このデバイスは、低電圧マイコン、FPGA、その他デジタルロジック機器からの直接駆動に対応します。同時に、導通損失を最小限に抑え、システム全体の効率を向上させます。