Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch、Eモード、電界効果トランジスタ

Diodes Inc. DMN2005K Nチャネル、エンハンスメントモード、電界効果トランジスタは、コンパクトなロジックレベルMOSFETで、効率的な低電圧スイッチング用途やパワーマネジメント用途向けです。省スペース型SOT-23パッケージ、低オン抵抗、超低ゲート閾値電圧0.9V (Max.)、高速スイッチング性能が特長です。これらの特長を持つDMN2005Kは、バッテリ駆動ポータブル電子システムに最適です。このデバイスは、低電圧マイコン、FPGA、その他デジタルロジック機器からの直接駆動に対応します。同時に、導通損失を最小限に抑え、システム全体の効率を向上させます。