4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.

結果: 5
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
IXYS MOSFET 4500V 0.9A HV Power MOSFET
データシート
166在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 900 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
データシート
296在庫
510予想2026/06/26
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
データシート
436取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET
データシート
116予想2026/08/07
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 3 A 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 2A HV Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 57 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube