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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 160 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIA436DJ-T1-GE3

メーカ番号：

SIA436DJ-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

データシート:

SIA436DJ-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 37,143

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥160	¥160
	¥99.7	¥997
	¥65.1	¥6,510
	¥50.2	¥25,100
	¥45.4	¥45,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥40	¥120,000
	¥37	¥222,000
	¥36	¥324,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SC-70-6
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	8 V
Id - 連続ドレイン電流:	12 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, 5 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	350 mV
Qg - ゲート電荷:	15 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	19 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET, PowerPAK
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
下降時間:	8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	70 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
シリーズ:	SIA
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	30 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns
別の部品番号:	SIA436DJ-GE3
単位重量:	1 g

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選択した属性: 0

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データシート

SIA436DJ-T1-GE3 データシート

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.