CoolMOS™ CE パワーMOSFET

InfineonのCoolMOS™ CE パワーMOSFETは、スーパージャンクション原則（SJ）に基づき設計され、お客様の要求に対応するよう考慮された高電圧パワーMOSFETの技術プラットフォームです。CoolMOS™ CEポートフォリオにより、モバイル機器や電動工具などの低電力充電器、ノートブックやノートパソコン用のアダプタ、LCD、LED TV、LED照明のための500V、600V、650Vのデバイスを提供します。この新しいCoolMOS™シリーズは、優れた価格を維持しながら、実証済みのCoolMOS™の品質と信頼性により妥協を許さず、お客様の標準的な要件に対応するようコスト最適化が行われています。
詳細

結果: 109
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
データシート
375在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
6在庫
1,440予想2026/03/26
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
94在庫
240予想2026/07/09
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
11在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
121在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3
データシート
198在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
207予想2026/03/05
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
888予想2026/04/09
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3
データシート
非在庫リードタイム 11 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
データシート
リードタイム 12 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 240
複数： 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement CoolMOS Tube