CoolMOS™ CE パワーMOSFET

InfineonのCoolMOS™ CE パワーMOSFETは、スーパージャンクション原則（SJ）に基づき設計され、お客様の要求に対応するよう考慮された高電圧パワーMOSFETの技術プラットフォームです。CoolMOS™ CEポートフォリオにより、モバイル機器や電動工具などの低電力充電器、ノートブックやノートパソコン用のアダプタ、LCD、LED TV、LED照明のための500V、600V、650Vのデバイスを提供します。この新しいCoolMOS™シリーズは、優れた価格を維持しながら、実証済みのCoolMOS™の品質と信頼性により妥協を許さず、お客様の標準的な要件に対応するようコスト最適化が行われています。
詳細

結果: 109
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 13 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 13 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 10.1 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 17 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 13 週間
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
データシート
非在庫リードタイム 13 週間
最低： 240
複数： 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube