高密度SiCパワーモジュール

ROHM Semiconductor 高密度シリコンカーバイド (SiC) パワーモジュールは、車載および産業用アプリケーションでの高効率な電力変換をサポートするように設計されています。TRCDRIVEパック™、HSDIP20、DOT-247などの複数のパッケージ・プラットフォームがラインナップされており、それぞれ異なる電力等級やシステム要件に最適化されています。これらのパッケージは、SiC MOSFETをコンパクトなモジュール構造に統合し、ハイパワー密度、安定したスイッチング性能、効率的な熱管理を実現します。パッケージに応じて、2-in-1、4-in-1、6-in-1といった構成を利用可能で、広範な電力変換およびモータ駆動アプリケーションに柔軟性を与えます。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
80予想2026/10/22
最低: 1
複数: 1
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
60予想2026/09/08
最低: 1
複数: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 47 A 37 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 227 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
60予想2026/09/08
最低: 1
複数: 1
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
60予想2026/09/08
最低: 1
複数: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
60予想2026/09/08
最低: 1
複数: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
225予想2026/09/08
最低: 1
複数: 1
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube