RGW 650VフィールドストップTrench IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650VフィールドストップTrench IGBTは、コレクタ-エミッタ飽和電圧が低く、小型パッケージに収められています。RGW IGBTは、高速スイッチング、低スイッチング損失、内蔵超高速・ソフトリカバリFRDが特徴です。ROHM RGW 650VフィールドストップTrench IGBTは、ソーラーインバータ、UPS、溶接、IH、PFCアプリケーションに最適です。

結果: 42
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
パッケージ/ケース
取り付け様式
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
最大ゲート エミッタ電圧
25 Cでのコレクターの直流
Pd - 電力損失
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
製品についてのコメント
450在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
製品についてのコメント
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
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非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
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非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO3P 650V 16A TRNCH
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
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非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
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非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
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非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
製品についてのコメント
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
データシート
製品についてのコメント
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 50A TRNCH
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 600
複数： 600

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 50A TRNCH
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 600
複数： 600

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 40A TRNCH
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 600
複数： 600

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 60A TRNCH
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 600
複数： 600

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
データシート
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非在庫リードタイム 22 週間
最低： 450
複数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube