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SI3493DDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3493DDV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3493DDV-T1-GE3
Price: 86 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SI3493DDV-T1-GE3

メーカ番号：

SI3493DDV-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

データシート:

SI3493DDV-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 10,255

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥86.4	¥86
	¥52	¥520
	¥33	¥3,300
	¥25	¥12,500
	¥22.4	¥22,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥19.5	¥58,500
	¥17.3	¥103,800
	¥15	¥135,000
	¥13.8	¥331,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSOP-6
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	20 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	52.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	3.6 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	40 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	30 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	20 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	115 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8 ns
単位重量:	20 mg

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選択した属性: 0

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データシート

SI3493DDV-T1-GE3 データシート

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET^® Gen III MOSFETは、-1.8V_GSで0.05Ω（最大）の低オン抵抗があります。Si3493DDV MOSFETは、-55ºC～150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは、単相構成TSOP-6パッケージサイズでご用意があります。Si3493DDV MOSFETは、オン抵抗定格を実現しており、広範なアプリケーションに対応しています。アプリケーションには、モバイル・デバイスでの負荷スイッチ、バッテリスイッチ、バッテリ管理があります。

TrenchFET Gen III Pチャンネル・パワーMOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen III PチャンネルパワーMOSFETには、低オン抵抗および低電圧降下が備わっており、効率性とバッテリ時間を向上させています。これらのパワーMOSFETは、各種パッケージサイズでご用意があります。このPチャンネルMOSFETには、広範なアプリケーションに対応しているオン抵抗定格が備わっています。アプリケーションには、負荷スイッチ、アダプタスイッチ、バッテリスイッチ、DCモータ、充電器スイッチがあります。