EPC2302

EPC
65-EPC2302
EPC2302

メーカ:

詳細:
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

ライフサイクル:
Mouser 初
ECADモデル:
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在庫: 2,456

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2,456
すぐに出荷可能
取寄中:
15,000
予想2026/11/06
工場リードタイム:
21
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥1,425.1 ¥1,425
¥970 ¥9,700
¥710.9 ¥71,090
¥699.3 ¥349,650
¥641.1 ¥641,100
完全リール(3000の倍数で注文)
¥599.6 ¥1,798,800
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
EPC
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
100 V
133 A
1.8 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
ブランド: EPC
構成: Single
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: Power Transistor
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 31.300 mg
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
マレーシア
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.