Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

結果: 41
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
198在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
675予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
470予想2026/05/27
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
270予想2026/10/14
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 270
複数： 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel