IAUZ4xN06S5 60V車載OptiMOS™-5 MOSFET
Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V車載OptiMOS™-5 MOSFETは、ドレイン-ソース間オン状態抵抗が小さいこと、ゲート電荷が低いこと、ゲート静電容量が小さいことが特徴で、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。また、これらのMOSFETはNチャンネル拡張モードになっており、極めて低い22.7nC~23.0nC逆回復電荷が特徴です。
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Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V車載OptiMOS™-5 MOSFETは、ドレイン-ソース間オン状態抵抗が小さいこと、ゲート電荷が低いこと、ゲート静電容量が小さいことが特徴で、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。また、これらのMOSFETはNチャンネル拡張モードになっており、極めて低い22.7nC~23.0nC逆回復電荷が特徴です。