NVMFD5877NLWFT1G-UM

onsemi
863-FD5877NLWFT1G-UM
NVMFD5877NLWFT1G-UM

メーカ：

詳細：
MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

ライフサイクル:
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データシート:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥292.3 ¥292
¥184.4 ¥1,844
¥121.1 ¥12,110
完全リール（1500の倍数で注文）
¥121.1 ¥181,650

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
60 V
17 A
39 mOhms
20 V
3 V
11 nC
- 55 C
+ 175 C
23 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Dual
下降時間: 3.9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 7 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15.8 ns
シリーズ: NVMFD5877NL
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 11.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.1 ns
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
マレーシア
組立原産国:
マレーシア
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NVMFD5877NLデュアルNチャネルMOSFET

onsemi NVMFD5877NL デュアルNチャネルMOSFETは、高い熱性能を含め、コンパクトかつ高効率な設計向けに設計されています。このNチャネルMOSFETは、光学検査性を向上させるためのウェッタブル・フランク（濡れ性側面）オプションを備えています。NVMFD5877NL MOSFETは、導通損失を最小限に抑える低オン抵抗と、ドライバ損失を最小限に抑える低容量を特徴としています。このNチャネルMOSFETは、AEC-Q101認定を取得しており、PPAP対応です。NVMFD5877NL MOSFETは、ソレノイドドライバやローサイド／ハイサイドドライバなどの自動車用途に適しています。

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