DI006H03SQ

Name: Diotec Semiconductor DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI006H03SQ
Price: 420 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

637-DI006H03SQ

メーカ番号：

DI006H03SQ

メーカ：

Diotec Semiconductor

詳細：

MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

データシート:

DI006H03SQ データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 3,908

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	¥270.7	¥2,707
	¥184.4	¥18,440
	¥147.3	¥73,650
	¥135.5	¥135,500
	¥133.7	¥267,400
完全リール（4000の倍数で注文）
	¥110	¥440,000
	¥109.8	¥878,400

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diotec Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel, P-Channel
チャンネル数:	4 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	4.2 A, 6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V, 2 V
Qg - ゲート電荷:	11.7 nC, 11.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.5 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Diotec Semiconductor
構成:	Quad
下降時間:	8.7 ns, 13.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	4 S, 3.5 S
水分感度:	Yes
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15 ns, 4.9 ns
シリーズ:	DI0XX
工場パックの数量:	4000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	17.5 ns, 28.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11.2 ns, 7.5 ns

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データシート

DI006H03SQ データシート (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.