NVMTS1D2N08H

onsemi
863-NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H

メーカ：

詳細：
MOSFET 80V 337A 1.1mOhms

データシート:
ECADモデル:
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工場リードタイム：
19 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,124.8 ¥1,125
¥760 ¥7,600
¥566.4 ¥56,640
¥536 ¥536,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥529.6 ¥1,588,800
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
80 V
337 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
147 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
下降時間: 19 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 400 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 14 ns
シリーズ: NVMTS1D2N08H
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 66 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 29 ns
単位重量: 319.280 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (RDS(ON)) 、超低ゲート充電 (Qg) 、低 (Qg) ×RDS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQg とQoss が35%～40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査（AOI）が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。

Nチャンネル80V車載用パワーMOSFET

onsemi Nチャンネル80V車載用パワーMOSFETは、8mm x 8mmフラットリード・パッケージでご用意があり、コンパクトで効率的な設計に最適です。シングルNチャンネル80Vデバイスは、1.1mΩRDS(on)（ドレイン-ソースON抵抗）が特徴です。MOSFETには、強化された光学検査向けのウェッタブルフランクオプションがあります。また、このデバイスは、AEC-Q101認定およびPPAP対応で、車載アプリケーションに最適です。

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