SiC MOSFET – Mouser 日本

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V & 1200V第3世代炭化ケイ素MOSFET

東芝650Vおよび1200V第3世代炭化ケイ素MOSFETは、400Vや800VなどのAC 入力 AC-DC電源などのハイパワー産業用アプリケーション、太陽光発電（PV）インバータ、無停電電源装置（UPS）用の双方向 DC-DCコンバータ用に設計されています。 SiCテクノロジーにより消費電力の削減と電力密度の改善に多大な貢献をします。またこのテクノロジーにより、高電圧、高速スイッチング、低いオン抵抗が可能になります。信頼性が高い設計で、入力容量が低く、共通のゲート-入力電荷があり、ドレイン-ソース間オン抵抗は15mΩと低くなっています。

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

結果: 24

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

Pd - 電力損失

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通常は在庫あり

取り扱い中

新製品

RoHS対応品

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

部品番号

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

TW045N120C,S1F
Toshiba
1: ¥4,606.4
111在庫

メーカ部品番号
TW045N120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW045N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

111在庫

¥4,606.4

¥3,392

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

TW048N65C,S1F
Toshiba
1: ¥3,216
82在庫

メーカ部品番号
TW048N65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW048N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

82在庫

¥3,216

¥2,145.1

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

65 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW031V65C,LQ
Toshiba
1: ¥6,218.5
2,500在庫
新製品

メーカ部品番号
TW031V65C,LQ

Mouser 部品番号
757-TW031V65CLQ

新製品

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

2,500在庫

カットテープ

¥6,218.5

¥5,090.5

¥5,064.4

¥5,062.8

リール

¥4,989.4

見積り

最低： 1
複数： 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

45 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW054V65C,LQ
Toshiba
1: ¥4,471.1
2,480在庫
新製品

メーカ部品番号
TW054V65C,LQ

Mouser 部品番号
757-TW054V65CLQ

新製品

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

2,480在庫

カットテープ

¥4,471.1

¥3,367.6

¥3,349.7

¥3,348

リール

¥3,300.8

見積り

最低： 1
複数： 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

81 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW092V65C,LQ
Toshiba
1: ¥3,633.3
2,493在庫
新製品

メーカ部品番号
TW092V65C,LQ

Mouser 部品番号
757-TW092V65CLQ

新製品

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

2,493在庫

カットテープ

¥3,633.3

¥2,639

¥2,611.3

リール

¥2,438.5

最低： 1
複数： 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

136 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW123V65C,LQ
Toshiba
1: ¥2,683
2,500在庫
新製品

メーカ部品番号
TW123V65C,LQ

Mouser 部品番号
757-TW123V65CLQ

新製品

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

2,500在庫

カットテープ

¥2,683

¥1,900.6

¥1,757.1

リール

¥1,721.3

見積り

最低： 1
複数： 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

183 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N120C,S1F
Toshiba
1: ¥12,612.9
31在庫

メーカ部品番号
TW015N120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW015N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

31在庫

¥12,612.9

¥11,739.3

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

431 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N65C,S1F
Toshiba
1: ¥9,714.8
49在庫

メーカ部品番号
TW015N65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW015N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

49在庫

¥9,714.8

¥8,551

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

21 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

342 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z65C,S1F
Toshiba
1: ¥9,033.5
142在庫

メーカ部品番号
TW015Z65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW015Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

142在庫

¥9,033.5

¥7,825.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

+ 175 C

342 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

TW060N120C,S1F
Toshiba
1: ¥3,742.5
224在庫

メーカ部品番号
TW060N120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW060N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

224在庫

¥3,742.5

¥2,645.5

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

TW045Z120C,S1F
Toshiba
1: ¥4,304.8
50在庫

メーカ部品番号
TW045Z120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW045Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

50在庫

¥4,304.8

¥3,116.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

+ 175 C

182 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

TW107Z65C,S1F
Toshiba
1: ¥1,853.3
45在庫

メーカ部品番号
TW107Z65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW107Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

45在庫

¥1,853.3

¥1,134.5

¥1,054.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

107 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

TW030Z120C,S1F
Toshiba
1: ¥5,794.7
40在庫

メーカ部品番号
TW030Z120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW030Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

40在庫

¥5,794.7

¥4,521.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

30 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

TW048Z65C,S1F
Toshiba
1: ¥3,004.1
82在庫

メーカ部品番号
TW048Z65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW048Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

82在庫

¥3,004.1

¥1,970.7

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

48 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

TW060Z120C,S1F
Toshiba
1: ¥3,545.3
36在庫

メーカ部品番号
TW060Z120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW060Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

36在庫

¥3,545.3

¥2,472.7

¥2,435.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

60 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

TW083N65C,S1F
Toshiba
1: ¥2,653.6
25在庫

メーカ部品番号
TW083N65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW083N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

25在庫

¥2,653.6

¥1,682.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

145 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

TW083Z65C,S1F
Toshiba
1: ¥2,510.2
25在庫

メーカ部品番号
TW083Z65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW083Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

25在庫

¥2,510.2

¥1,564.8

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

83 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

TW140N120C,S1F
Toshiba
1: ¥2,260.8
58在庫

メーカ部品番号
TW140N120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW140N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

58在庫

¥2,260.8

¥1,379

¥1,318.7

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

TW140Z120C,S1F
Toshiba
1: ¥2,086.4
61在庫

メーカ部品番号
TW140Z120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW140Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

61在庫

¥2,086.4

¥1,232.3

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

140 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

+ 175 C

107 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

TW027N65C,S1F
Toshiba
1: ¥4,924.2
4在庫

メーカ部品番号
TW027N65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW027N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

4在庫

¥4,924.2

¥3,396.9

¥3,251.9

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

37 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

TW030N120C,S1F
Toshiba
1: ¥6,208.7
77取寄中

メーカ部品番号
TW030N120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW030N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

77取寄中

¥6,208.7

¥4,927.5

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

TW107N65C,S1F
Toshiba
1: ¥1,934.8
25予想2026/10/09

メーカ部品番号
TW107N65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW107N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

25予想2026/10/09

¥1,934.8

¥1,165.5

¥1,116.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

113 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

TW027Z65C,S1F
Toshiba
1: ¥4,195.6
非在庫リードタイム 10 週間

メーカ部品番号
TW027Z65C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW027Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

非在庫リードタイム 10 週間

¥4,195.6

¥3,015.5

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

27 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z120C,S1F
Toshiba
1: ¥11,651.2
在庫なし

メーカ部品番号
TW015Z120C,S1F

Mouser 部品番号
757-TW015Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets について

データシート

在庫なし

¥11,651.2

¥10,666.7

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

+ 175 C

431 W

Enhancement