IX4 ウルトラジャンクションパワーMOSFETs

IXYS IX4ウルトラジャンクションパワーMOSFETは、アバランシェ定格のNチャンネルエンハンストモードMOSFETで、200Vドレイン-ソース間絶縁破壊電圧が備わっています。IXYS IX4ウルトラジャンクションパワーMOSFETは、TO-220（IXTP）またはTO-263（IXTA）パッケージに収められており、86Aまたは94A連続ドレイン電流が備わっています。

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
データシート
2,004在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
データシート
1,197在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
データシート
719在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
データシート
523在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
データシート
620取寄中
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
データシート
450工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube