IX4 ウルトラジャンクションパワーMOSFETs

IXYS IX4ウルトラジャンクションパワーMOSFETは、アバランシェ定格のNチャンネルエンハンストモードMOSFETで、200Vドレイン-ソース間絶縁破壊電圧が備わっています。IXYS IX4ウルトラジャンクションパワーMOSFETは、TO-220(IXTP)またはTO-263(IXTA)パッケージに収められており、86Aまたは94A連続ドレイン電流が備わっています。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 736在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS 2,000在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS 769在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS 696在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS 674在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET 1,436在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube