NxJS3151P シングルPチャンネルパワーMOSFET

onsemi NxJS3151P シングルPチャンネルパワーMOSFETは、効率的なスイッチングアプリケーション用に設計された高性能MOSFETです。コンパクトなSC-88 (SOT-363) 2mm x 2mmパッケージに格納されているこれらのonsemi MOSFETは、-4.5Vでわずか45mΩの低RDS (オン) を備え、導通損失の低減と熱性能の向上を実現します。最大ドレイン電流-3.3A、およびドレイン-ソース定格電圧-12Vを備えたNxJS3151Pデバイスは、ポータブルおよびバッテリ駆動デバイスでの負荷スイッチングに最適です。超低ゲート電荷と高速スイッチング特性は、エネルギー効率の向上に貢献しており、onsemi NxJS3151P シングルPチャンネルパワーMOSFETは、電力密度と信頼性が重要になる、スペースに制約のある設計に最適です。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
onsemi MOSFET 12V 3.3A P-Channel 12,925在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 12V 3.3A 60MOHM 2,400在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 2.7 A 160 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 12V 3.3A P-Channel 2,890在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape