CoolSiC™ 440V G2シリコンカーバイドMOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™440V G2シリコンカーバイドMOSFET は、200VSiトレンチMOSFETと600VSi スーパージャンクション（SJ）MOSFETのギャップを埋めるように設計されています。これらの MOSFET は、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングの 2 レベル／3 レベルトポロジーにおいて、卓越した電力密度とシステム効率を実現します。CoolSiC™ MOSFETは、440Vのブロッキング電圧、4.5Vのゲート閾値電圧、低いR_DS(on)の温度依存性を備えています。また高い堅牢性と超低スイッチング損失、オン状態抵抗を兼ね備えています。代表的なアプリケーションには、電力人工知能（AI）、サーバー、データセンター、通信用整流器向け高電力SMPSなどがあります。