E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

結果: 39
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
データシート
682在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
データシート
1,509在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 800V 8A N-CH MOSFET
データシート
7,303在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
データシート
9,550在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17.4 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 32 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
データシート
672在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 8A N-CH MOSFET
データシート
1,038在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 23A N-CH MOSFET
データシート
製品についてのコメント
40在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 26A N-CH MOSFET
データシート
製品についてのコメント
527在庫
4,000予想2026/11/13
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
データシート
製品についてのコメント
277在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
データシート
在庫なし
最低： 800
複数： 800
Si

Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
データシート
在庫なし
最低： 500
複数： 500
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V
データシート
製品についてのコメント
在庫なし
最低： 1,000
複数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
データシート
在庫なし
最低： 1,000
複数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 32A N-CH MOSFET
データシート
製品についてのコメント
在庫なし
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel